روشي براي خنك كردن لپ تاب

 
 

محققان به تازگي روشي را براي خنك كردن لپ تاب ارائه كردند.
لپ تاب ها يكي از اين فناوري هاي جهان مدرن امروز است كه روزبه روز اندازه آن ها كوچك و كوچك تر شده در عين حال قابليت آن ها افزايش مي يابد; اما ميلياردها مدار الكترونيكي نيمه رساناي موجود در آن گرمايي معادل يك اجاق خانگي ايجاد مي كند كه مي تواند به ذوب شدن آن ها و از كار افتادن لپ تاب منجر شود.

به همراه محققاني از موسسه يوفي سنپترزبورگ روسيه با توجه به IBM ' s T.J. Watson اخيرا روتكين و همكارانش در مركز تحقيقاتي سطح بالاي پراكندگي الكترون ها در ترانزيستورهاي نانولوله كربني غيرمعلق و استفاده از جفت شدگي حرارتي فونون پولاريتون سطحي روش نويني را براي حل اين مشكل يافته اند.

در مدارهاي نانولوله اي به دليل غير همگن بودن نانولوله ها و زيرلايه ي آن ها آهنگ انتقال گرما بسيار كند است ; لذا گرما به سختي به ماده زيرين آن ها منتقل مي شود اما در اين شيوه جديد گرما به راحتي به سطح زيرين هدايت شده الكترون هاي داغ از آن پراكنده رسانش موثر گرمايي را در فصل مشترك نانولوله و زيرلايه ي قطبي تا 2 SPP مي شوند . اين محققان نشان داده اند كه جفت شدگي حرارتي برابر افزايش مي دهد. حسن اين روش آن است كه فرايند خنك كردن به طور طبيعي و بدون استفاده از هيچ بخش متحرك يا عامل خنك كننده اي انجام مي شود.

در اين روش پراكندگي الكتروني موجي با عنوان « پولاريتون سطحي » ايجاد مي كند. اين پولاريتون هاي سطحي در محدوده ميدان نزديك بالاي زيرلايه آن قدر قوي هستند كه الكترون هاي داغ به راحتي از آن ها پراكنده شده در اثر پديده تونل زني ميدان نزديك انرژي خود را به نانولوله ي زيرين مي دهند. به همين دليل اغلب ابزارهاي نيمه رسانايي كه امروزه ساخته مي شوند لايه اي از نانولوله يا نانوسيم درست روي زير لايه اكسيد سيليسيومي خود دارند.

روتكين در اين باره مي گويد : اگر به جاي زيرلايه ي اكسيد سيليسيومي از يك ماده دي الكتريك با ثابت بالاتر استفاده شود حتي مي توان پولاريتون هاي سطحي قوي تري را هم به دست آورد.
اين محققان با استفاده از مدل هاي ميكروسكوپي كوانتومي توانسته اند ميزان گرماي خروجي را برحسب تابعي از ميدان الكتريكي آلايندگي و دما به دست آورند