عصر ایران

برچسب جستجو
پژوهشگران چند مرکز تحقیقاتی مختلف از آمریکا، ژاپن و انگلستان، موفق به ساخت ترانزیستور ی حاوی مواد نانویی دو بُعدی شدند که قادر به یادگیری و تفکر است.
کد خبر: ۹۳۰۷۷۷   تاریخ انتشار : ۱۴۰۲/۱۰/۱۰

پژوهشگران آمریکایی برای عملکرد سریع‌تر در دمای اتاق و غلبه بر محدودیت‌های ترانزیستور پیشنهاد کرده‌اند که مولکول‌های ظرفیت مخلوط در دستگاه‌های مبتنی بر نقاط کوانتومی مورد استفاده قرار بگیرند.
کد خبر: ۹۲۹۴۶۳   تاریخ انتشار : ۱۴۰۲/۱۰/۰۵

پژوهشگران شرکت آی بی ام می گویند شیوه تازه ای را برای ساخت ترانزیستور ها با استفاده از طراحی رشته های موازی نانوتیوب های کربنی یافته اند.
کد خبر: ۴۲۰۹۶۲   تاریخ انتشار : ۱۳۹۴/۰۷/۱۲

گروهی از محققان کشورهای آلمان، ژاپن و امریکا موفق به ساخت ترانزیستور کوچکی شده اند که قادر به کنترل جریان تک الکترون هاست.
کد خبر: ۴۰۶۹۰۱   تاریخ انتشار : ۱۳۹۴/۰۴/۳۰

انتظار می‌رود تا در آینده با پیشرفت علم شاهد به کارگیری این ترانزیستور های فوق باریک در ساخت مدارهای الکترونیک و سنسورها باشیم.
کد خبر: ۳۹۴۲۸۲   تاریخ انتشار : ۱۳۹۴/۰۲/۱۳

تیم پژوهشی دانشگاه سانگ کیون کوان در کره جنوبی طراحی ترانزیستو فوق ساده و روش ساختی را ارائه کرده اند که هر چه بیشتر می تواند هزینه دستگاه های اکسید آمورف را کاهش دهد زیرا فرآیند ساخت به مواد کمتر و مراحل پردازش کمتر نیاز دارد.
کد خبر: ۳۹۰۵۱۸   تاریخ انتشار : ۱۳۹۴/۰۱/۲۰

در سال 1948 آقای شاکلی طراحی جایگزین که ترانزیستور پیوندی دوقطبی بود را به مرحله اجرا در آورد که پس از بررسی، به عنوان یک طراحی فشرده تر با قابلیت تولید آسان، تأیید شد و تا دهه 1960 که زمان فراگیر شدن استفاده از نیمه رساناهای اکسید فلز یا ماسفت ها (اختراع جان آتالا و داون کانگ) رسید، تولید انبوه آن ادامه یافت.
کد خبر: ۲۴۶۳۸۶   تاریخ انتشار : ۱۳۹۱/۰۹/۲۷

آخرین اخبار
پربازدید ها